2019年2月20日 星期三

聯電(UMC) 4Q18財報之不完整摘要

4Q18財報

4Q18開始看到整個半導體供應鏈的需求變弱和存貨修正,美中貿易爭議更創造了額外的不確定性(意味中美貿易戰只是加速因素而不是促使本次景氣下行循環的主因)
營收-9.8% QoQ,其中wafer shipment -5.2% QoQ
Gross margin 13%
產能利用率(UTR)從前季94%降到88%
ASP下降因為14nm從前季5%減少為1%,主要是因為加密貨幣IC疲弱
28nm也從前季13%降到10%
2018全年28nm從前一年15%降到13%,14nm從前一年1%增加到3%
2018 CAPEX US$650M,2019 CAPEX US$1bn
2017 CAPEX 25%在8"廠,主要在和艦,75%在12"廠,主要在新加坡Fab 12i增加65nm產能
2019總體產能沒有增加
 
1Q19 guidance

中階和低階手機需求疲弱、加密貨幣需求衰退
wafer shipment -6~7% QoQ,28nm大約持平QoQ,主要是40nm下滑,這是暫時性的,因為有許多65/55nm產品將轉到40nm
ASP -1~2% QoQ
Gorss margin 5% ,比4Q18的13%大幅降低,主要因為產能利用率下降
UTR 80%,8" close to 100%(4Q18 ove 100%)、12" low 70%(4Q18 mid-70%)
8"晶圓需求在4Q18也看到佔實性的手機需求下滑和庫存調整,產能利用率從4Q18的over 100%降到1Q19的close to 100%,長線對8"需求還是正面看待,因為有PMIC、MCU、Automotive、IoT等需求,UMC強化specialty process例如RF、SOI、BCD、embedded NVM
本波庫存修正會持續到1Q19以後
希望2019年營收服和產業
28nm over capacity, 目前UMC tape out的28nm 70%都是High-K,但ramp up還要一段時間
UMC重視投資回收,因此重點在specialty processes on existing nodes,聚焦在specialty and mature technology,RD資源放在diversity of technology area,例如Power IC、Display driver、RF Switch、MCU
UMC先進製程將停在14nm,we have no plans to go beyond 14 at this point






 

要計算8"營收和UTR,90nm比較麻煩,因為8"和12"都可以做90nm,假設UMC 90nm大部分在12"做
3Q18 8" wafer製程比重0.11/0.13um以下,合計38%,3Q18 394E x 38% = 150E
4Q18 8" wafer製程比重0.11/1.13um以下,合計42%,4Q18 x 42% = 149E
4Q18的8" wafer營收大致持平,UMC說4Q18 8" UTR "over 100%", 1Q19 "close 100%",就假設
4Q18 8" UTR 103%, 1Q19 97%,掉6%。

8" wafer capacity合計902K/m,6"+8"=993K/m,分別佔全公司產能1,937K/m的47%和51%

2019年2月19日 星期二

中芯國際(SMIC) 4Q18財報之不完整摘要

SMIC(中芯國際)為全球第四大專業晶圓代工廠,主要股東為大唐控股和國家集成電路產業投資基金(大基金)。主要工廠產能如下:

上海8"廠,109K/m
上海12"廠,10K/m
上海12"合資新廠,建設中,和大基金和上海集成電路基金合資,將導入14nm/12nm先進製程
北京12"廠,42K/m
北京12"合資廠,33K/m
天津8"廠,60K/m
天津8"新廠,建設中,世界最大單體8"廠
深圳8"廠,42K/m,包含10K/m MOSFET產能
深圳12"廠,3K/m
義大利合資LFoundry,42K/m
總產能8"約當451K/m

4Q18業績
營收-7.4% QoQ, 持平YoY
晶圓營收-8.6% QoQ, -6.5% YoY
毛利率17%,下降3.5%
Wafer出貨(8"約當) 1,218K/Q,-7.4% QoQ,+8% YoY
Wafer ASP -1% QoQ,-14% YoY
產能利用率從前季94.7%下降到89.9%

1Q19 guidance
營收-16~18% QoQ
1Q19客戶還在消化庫存,但1Q19應該是2019年谷底,2019年目標符合foundry產業成長率
8"晶圓廠全年可滿載
2019年成長動力為成熟製程,包括PMIC、CIS、Fingerprint、Specialty memory、NOR/NAND Flash、高壓LCD/OLED Driver IC
毛利率20~22%
2019全年毛利率15~20%
4Q18產能利用率90%,1Q19營收-16~18%,推估1Q19產能利用率大約在75%

28nm製程整個產業over supply,將成為SMIC的毛利率的負擔

14nm FinFET製程研發進度順利,12nm也開始進行,12nm將比14nm功耗降低20%、Performance增加10%、面積減少20%,第二代FinFET N-plus 1也在進行,希望在功耗、面積和Performance都有進步,14/12nm目標市場為中階手機AP和消費性產品IC。

2018年CAPEX US$1.8bn,2019年計劃CAPEX US$2.2bn,主要用在上海12"合資新廠的FinFET先進製程設備






4Q18 28nm營收-30% QoQ, -55% YoY,比重下降到5.4%
3Q18 8"晶圓的製程0.25/0.35um+0.15/0.18um+0.11/0.13um大約為51.8%,營收約US$440M
4Q18 8"製程0.25/0.35um+0.15/0.18um+0.11/0.13um=49.6%,稍微下降,營收約US$390M
因此4Q18 8"晶圓營收從US$440M下降到US$390M,-11% QoQ,已經沒有滿載,對照台灣的TSMC、UMC 、VIS 4Q18 8"晶圓大概還是相對滿載,二線廠的SMIC已經先看到8"利用率下滑到至少85~90%,對照全公司1Q19產能利用率約75%,推估8"晶圓產能利用率可能為80~85%。

2019年2月17日 星期日

華虹半導體4Q18財報之不完整摘要

華虹半導體是由華虹NEC和上海宏力合併的晶圓代工廠,屬於中國電子信息產業集團(CEC),有三座8"晶圓廠,在中國大陸僅次於SMIC算第二大純晶圓代工廠,和世界先進(VIS)一樣,目前都是8"廠,12"新廠還在建設中。本文圖表資料來源為公司官網。

4Q18業績:
營收+3% QoQ, +15% YoY
ASP +3% QoQ
毛利率34%

1Q19 Guidance:
營收 -12% QoQ, +5% YoY
毛利率從下降2%到32%

 
8吋晶圓產能174K/m。 4Q18產能利用率從101.5%下降到96.7%,因為1Q19營收-12% QoQ,推估產能利用率大約85%左右。
 

 
 
模擬晶片就是台灣說的類比(analog)晶片,分立器件就是台灣說的分離式(discrete)元件,主要是Power MOSFET和IGBT,非易失性存儲體就是台灣說的非揮發性記憶體NVM,主要是說獨立單顆的NOR Flash,4Q18營收按產品應用區分如下,客戶資料來源為國金證券。

1. Embedded NVM( 包含Smart card IC) & MCU : 40%營收
Smart card IC製程90nm~0.25um,主要客戶:  北京同方微電子/紫光國微、華大半導體、Starchip,因為Smart card包含銀行金融卡、居民身分證、社保卡、健康卡等,都和政府有關,華虹半導體這方面佔有優勢,此外還有SIM卡,合計年出貨量數億顆。
MCU製程90nm~0.13um,主要客戶: Microchip、Cypress、STM、華大半導體。

2. Discrete (Power MOSFET、Super Junction、 IGBT) : 35%營收,成長40% YoY
Power MOSFET製程0.25um、0.35um,IGBT/Super Junction製程0.35um。
主要客戶: 無錫新洁能、中科君芯、江蘇宏微、東微半導體、台灣大中、Alpha & Omega (AOS)、On Semiconductor、Diodes。

3. Analog & PMIC(包含LED driver) : 13%營收
Analog & PMIC製程0.11um~0.35um,主要客戶: 江蘇宏微、東微半導體
LED IC製程0.35um,主要客戶: 晶丰明源

4. Logic & RF : 11%營收,成長44% YoY,
製程90nm~0.25um,主要客戶On Semiconductor、Cypress、Diodes

5. NOR: 1%營收,這一年大幅下滑
製程0.11um~0.18um,主要客戶Cypress



ASP連續兩年提高,從2016年的US$394,提高到2017年的$423,再提高到2018年的$452,主要原因應該是產品和製程組合的改變,造成blended ASP的提高,例如<=0.13um的比重提高,blended ASP就會提高,次要原因是因為8吋晶圓代工這兩年需求不錯,同一製程不再跌價、跌幅減少或極少數製程曾經短暫漲價。

12"晶圓新廠位於無錫,結合大基金和無錫市政府,計劃分4~5年投資US$2.5bn,產能最高達40K/m,預計2019年中期完成廠房建設,2H19設備move-in,初期產能10K/m,預計4Q19量產,公司計劃首先將eNVM和MCU製程推進到12" 90~55nm。研判如果eNVM和MCU順利移轉到12"新產生產的話,原來8"晶圓廠空出來的產能,將可用來接受更多的Power MOSFET/IGBT訂單。

2018年6月6日 星期三

2018 ARM推出新一代Cortex-A76 CPU

2018年Arm推出最新的高階大核Cortex-A76 CPU,比起上一代A75 CPU,除了performace和power efficiency當然有所進步; 和AI機器學習(Machine Learning)性能提升4倍之外,其他的創新,沒有像去年那麼大,去年2017年,Arm徹底修正了使用多年的big.LITTLE大小核雙叢集技術,推出DynamIQ技術,有很大的創新,並推出基於DynamIQ技術的大核Cortex-A75 CPU和小核Cortex-A55 CPU,今年推出的大核Cortex-A76,是基於DynamIQ技術的第二代大核,今年並沒有推出Cortex-A55的下一代小核。

2017年的Arm IP大概會使用在2018年的晶片上,2018年的Arm IP大概會使用在2019年的Arm晶片上,DynamIQ雖然是去年的技術,但因為進步很大,而且應該還會使用好幾年,還是說明一下特點。

1. DynamIQ是Arm公司2017年發表的新一代多核心微架構(microarchitecture)技術,正式名稱為DynamIQ big.LITTLE(以下簡稱為DynamIQ),取代使用多年的big.LITTLE技術。

2. big.LITTLE技術將多核心處理器IP分為兩個叢集(clusters),每個叢集最多4個核心,兩個叢集最多4+4=8核心,DynamIQ則只有一個叢集,同樣可以內含最多8個核心。

3. big.LITTLE大核和小核必須放在不同的叢集,例如4+4(4大核+4小核),DynamIQ只有一個叢集,但可同時包含大核和小核,達到叢集內的異質處理(heterogeneous cluster),而且大核和小核可以隨意排列組合,例如1+3、1+7等以前無法做到的彈性配置。

4. big.LITTLE每個叢集只能用一種電壓,也因此同一個叢集內的各核心CPU只有一種頻率,DynamIQ內的每個CPU核心都可以有不同的電壓和不同的頻率。

5. big.LITTLE每個叢集內的CPU核心,共享同一塊L2 Cache,DynamIQ內的每個CPU核心,都有專屬的L2 Cache,再共享同一塊L3 Cache,L2 Cache和L3 Cache的容量大小都是可以選擇的,各核心專屬L2 Cache可以從256KB~512KB,各核心共享L3 Cahce可以從1MB~4MB。這樣的設計大幅提升了跨核心資料交換的速度。L3 Cache是DynamIQ Shared Unit(DSU)的一部分。

使用big.LITTLE技術的手機AP晶片,通常的做法有幾種:

(1) 4大核 + 4小核,兩個叢集各有不同的工作電壓和頻率
(2) 2大核 + 4小核,兩個叢集各有不同的工作電壓和頻率
(3) 4大核
(4) 4小核 + 4小核,兩個叢集各有不同的工作電壓和頻率,把高頻叢集當作大核
(5) 4小核

改為DynamIQ之後,幾乎可以有幾百種大小核和電壓的組合,大幅度的增加晶片設計的彈性和更多的客製化能力。

去年的重大進步是推出了新的DynamIQ bit.LITTLE技術,以及基於DynamIQ技術的第一代CPU核心: 大核A75和小核A53,今年2018年主要就是推出新的大核Cortex-A76 CPU IP。

Cortex-A76和A75的比較,將基於7nm製程、3GHz的Cortex-A76,和基於10nm製程、2.8GHz的Cortex-A75比較,performance提升35%,能源效率(power efficiency)增加40%,透過更高的整數和向量處理能力,讓Machine Learning性能增加為4倍。Arm被問到如果用同樣製程比較的話,performance提升20~25%,能源效率雖然沒提升到40%,但也有明顯提升。